[发明专利]晶体管的结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210390802.9 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730365B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 刘志建;吴姿锦;林钰书;陈哲明;邓文仪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种晶体管的结构及其制作方法，首先，提供一具有第一晶体管区域的半导体基底，接着施行一低温沉积制作工艺，形成一第一伸张应力层于第一晶体管区域内的晶体管上，其中低温沉积制作工艺的温度不大于摄氏300度，继以施行一高温退火制作工艺，其中高温退火制作工艺的温度高于低温沉积制作工艺的温度至少摄氏150度，最后于第一伸张应力层上形成一第二伸张应力层，其中第一伸张应力层的伸张应力值低于第二伸张应力层的伸张应力值。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制作方法，包含：提供一半导体基底，其上定义有一第一晶体管区域；在该第一晶体管区域内形成至少一晶体管，该晶体管包括一栅极结构；施行一低温沉积制作工艺，形成一第一伸张应力层于该晶体管上，其中该低温沉积制作工艺的温度小于摄氏300度；在施行该低温沉积制作工艺之后，施行一高温退火制作工艺，其中该高温退火制作工艺的温度高于该低温沉积制作工艺的温度至少摄氏150度，其中该第一伸张应力层在该高温退火制作工艺后包括一包覆该栅极结构的弧状部、至少一位于栅极结构侧边的该半导体基底上的延伸部以及一位于该弧状部和该延伸部之间的交界部，其中该第一伸张应力层的厚度由该弧状部及该延伸部往该交界部逐渐变薄；以及在该第一伸张应力层上形成一第二伸张应力层，其中该第一伸张应力层的伸张应力值低于该第二伸张应力层的伸张应力值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210390802.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
