[发明专利]晶体管的结构及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，包含：

提供一半导体基底，其上定义有一第一晶体管区域；

在该第一晶体管区域内形成至少一晶体管，该晶体管包括一栅极结构；

施行一低温沉积制作工艺，形成一第一伸张应力层于该晶体管上，其中该低温沉积制作工艺的温度小于摄氏300度；

在施行该低温沉积制作工艺之后，施行一高温退火制作工艺，其中该高温退火制作工艺的温度高于该低温沉积制作工艺的温度至少摄氏150度，其中该第一伸张应力层在该高温退火制作工艺后包括一包覆该栅极结构的弧状部、至少一位于栅极结构侧边的该半导体基底上的延伸部以及一位于该弧状部和该延伸部之间的交界部，其中该第一伸张应力层的厚度由该弧状部及该延伸部往该交界部逐渐变薄；以及

在该第一伸张应力层上形成一第二伸张应力层，其中该第一伸张应力层的伸张应力值低于该第二伸张应力层的伸张应力值。

2.如权利要求1所述的制作方法，其中该晶体管包含一位于该半导体基底上的栅极结构，且该第一伸张应力层会分别包覆住该栅极结构以及覆盖该栅极结构周围的该半导体基底。

3.如权利要求1所述的制作方法，其中在进行该高温退火制作工艺之前，该第一伸张应力层为一连续层。

4.如权利要求1所述的制作方法，其中在该高温退火制作工艺之后，该第一伸张应力层为一非连续层。

5.如权利要求4所述的制作方法，其中该第二伸张应力层与该栅极结构的下部两侧面直接接触。

6.如权利要求1所述的制作方法，其中该半导体基底另包含第二晶体管区域，且该制作方法另包含：

在该第二晶体管区域内设置至少二栅极结构，其中两相邻的该些栅极结构之间具有一宽度大于100纳米的间隙；以及

形成该第一伸张应力层，顺向性地包覆该些栅极结构及填入该间隙，其中该第二晶体管区域内的该第一伸张应力层为一连续层。

7.如权利要求1所述的制作方法，其中于形成该第一伸张应力层之前另包含有：

形成一氧化硅层，以包覆该栅极结构及覆盖该栅极结构侧边的该半导体基底。

8.如权利要求1所述的制作方法，其中该晶体管为一N型金氧半场效晶体管。

9.一种晶体管的制作方法，包含：

提供一半导体基底，其上设置有至少一栅极结构；

在该栅极结构两侧的该半导体基底内分别形成一源极区域以及一漏极区域；以及

分别形成一第一伸张应力层及一位于该第一伸张应力层之上的第二伸张应力层，且形成该第一伸张应力层的至少一参数不同于形成该第二伸张应力层的参数，且该参数不包含制作工艺时间，其中该第一伸张应力层具有一厚度最薄的交界部，该交界部位于该栅极结构和该半导体基底之间的角落，且该第二伸张应力层的应力会集中在该交界部。

10.如权利要求9所述的制作方法，其中该第二伸张应力层的伸张应力值大于该第一伸张应力层的伸张应力值。

11.如权利要求9所述的制作方法，其中该交界部于该栅极结构的下部两侧。

12.如权利要求9所述的制作方法，其中该参数包含压力、温度、气体浓度或沉积功率。

13.如权利要求9所述的制作方法，其中该第一伸张应力层另包含一包覆该栅极结构的弧状部以及至少一位于该栅极结构侧边的该半导体基底上的延伸部，该交界部位于该弧状部和该延伸部之间，且该第一伸张应力层的厚度由该弧状部及该延伸部往该交界部逐渐变薄。

14.一种晶体管，包含：

半导体基底，其上定义有一第一晶体管区域；

至少一栅极结构，设置于该第一晶体管区域内；

第一伸张应力层，包含一包覆该栅极结构的弧状部、至少一位于该栅极结构侧边的该半导体基底上的延伸部，以及一位于该弧状部和该延伸部间的交界部，其中该第一伸张应力层的厚度由该弧状部及该延伸部往该交界部逐渐变薄，该延伸部的顶面是凸面，且该交界部低于该延伸部的顶点；

第二伸张应力层，设置于该第一伸张应力层之上；以及

源极区域以及一漏极区域，分别位于该栅极结构两侧的该半导体基底内。

15.如权利要求14所述的晶体管，其中该交界部邻近于该栅极结构两侧与该半导体基底的交界处。