[发明专利]一种导电沟道制作方法

摘要

本申请公开了一种导电沟道制作方法，在半导体基体中形成延伸到源极和漏极之中的Σ型导电沟道，一方面，Σ型导电沟道中多步外延生长锗化硅或碳化硅，另一方面，Σ型导电沟道边缘的非硅元素掺杂浓度小于中部的非硅元素掺杂浓度，从而通过渐变的非硅元素掺杂浓度，降低源漏极与导电沟道界面处的晶格适配形成了异质结，增大了导电沟道中的应力，两者都提高载流子的迁移率。

主权项

一种导电沟道制作方法，应用于金属氧化物半导体场效应晶体管制作，该方法包括：提供一半导体基体，所述半导体基体上具有虚拟栅极和环绕所述虚拟栅极的侧墙，以所述虚拟栅极和侧墙为遮蔽，在所述半导体基体中形成源极和漏极；在所述半导体基体上沉积介质层，所述介质层覆盖所述虚拟栅极、侧墙以及源极和漏极表面；化学机械研磨所述介质层直到露出所述虚拟栅极表面；刻蚀去除所述虚拟栅极形成栅极窗口；栅极窗口中刻蚀硅衬底形成Σ型沟槽，所述Σ型沟槽的两边侧壁分别延伸至所述源极和漏极中；在所述Σ型沟槽中填充硅化物形成Σ型导电沟道。