[发明专利]一种导电沟道制作方法有效
| 申请号： | 201210361835.0 | 申请日： | 2012-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103681342A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 导电 沟道 制作方法 | ||
1.一种导电沟道制作方法，应用于金属氧化物半导体场效应晶体管制作，该方法包括：
提供一半导体基体，所述半导体基体上具有虚拟栅极和环绕所述虚拟栅极的侧墙，以所述虚拟栅极和侧墙为遮蔽，在所述半导体基体中形成源极和漏极；
在所述半导体基体上沉积介质层，所述介质层覆盖所述虚拟栅极、侧墙以及源极和漏极表面；
化学机械研磨所述介质层直到露出所述虚拟栅极表面；
刻蚀去除所述虚拟栅极形成栅极窗口；栅极窗口中刻蚀硅衬底形成Σ型沟槽，所述Σ型沟槽的两边侧壁分别延伸至所述源极和漏极中；
在所述Σ型沟槽中填充硅化物形成Σ型导电沟道。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基体是硅衬底。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体基体是位于半导体衬底上的鳍片，所述虚拟栅极是所述鳍片顶部的栅极。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底是体硅或者绝缘层上硅SOI。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Σ型沟槽的高度是10到200纳米。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅化物是碳化硅或锗化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述填充硅化物的方法是多步外延，Σ型导电沟道中非硅元素占所述硅化物的摩尔分数百分比范围是5％～35％。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述Σ型导电沟道中非硅元素占所述硅化物的摩尔分数分布规律是中部大于边缘。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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