[发明专利]半导体器件及其制造方法以及形成导电部件的方法有效
| 申请号： | 201210350994.0 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103378052A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 杨慧君;陈美玲;林耕竹;刘中伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体器件及其制造方法以及形成其导电部件的方法。半导体器件包括在工件上方设置的绝缘材料层。绝缘材料层包含具有约13％以上的碳(C)的含硅材料。导电部件设置在绝缘材料层内。导电部件包括在其顶面上设置的保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 形成 导电 部件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：绝缘材料层，设置在工件上方，所述绝缘材料层包含具有约13％以上的碳(C)的含硅材料；以及导电部件，设置在所述绝缘材料层内，所述导电部件包括在其顶面上设置的保护层。
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