[发明专利]改善沟槽侧壁扇贝形貌的干法刻蚀工艺方法

摘要

本发明公开了一种改善沟槽侧壁“扇贝”形貌的干法刻蚀工艺方法，步骤包括：1）涂胶，曝光，定义钨通道尺寸；2）高压下，预淀积聚合物；3）预刻蚀聚合物；4）在沟槽侧壁和底部淀积聚合物；5）交迭进行聚合物刻蚀和淀积；6）深沟槽各向异性干法刻蚀，彻底打开沟槽底部聚合物，并刻蚀底部单晶硅，形成小单晶硅沟槽；7）循环进行步骤4）至6），直至达到要求的钨通道深度。本发明利用刻蚀和淀积交迭步骤来控制沟槽侧壁和底部的聚合物厚度，以保护沟槽侧壁的聚合物，这样大大降低了沟槽侧壁“扇贝”形貌的幅度，保证了后续金属钨阻挡层淀积的可行性和金属钨sinker的实现。

主权项

改善沟槽侧壁“扇贝”形貌的干法刻蚀工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：1）在硅衬底上涂布光刻胶，曝光图形，形成用于填充钨的深沟槽，并定义钨通道的尺寸；2）在70～160毫托高压下，在光刻胶上预淀积一层聚合物，使步骤1）定义的钨通道的尺寸缩小；3）预刻蚀聚合物，在步骤2）淀积的聚合物表面打开缺口；4）在所述深沟槽侧壁和底部淀积一层聚合物；5）利用高能量等离子体交迭进行聚合物干法刻蚀和淀积，进一步加厚深沟槽侧壁的聚合物，同时减薄或完全打开深沟槽底部的聚合物；6）利用高能量等离子体，进行深沟槽的各向异性干法刻蚀，彻底打开深沟槽底部的聚合物，并刻蚀深沟槽底部的单晶硅，形成小单晶硅沟槽；7）循环进行步骤4）至6），直至达到所要求的钨通道深度。