[发明专利]改善沟槽侧壁扇贝形貌的干法刻蚀工艺方法

权利要求书

1.改善沟槽侧壁“扇贝”形貌的干法刻蚀工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在硅衬底上涂布光刻胶，曝光图形，形成用于填充钨的深沟槽，并定义钨通道的尺寸；

2）在70～160毫托高压下，在光刻胶上预淀积一层聚合物，使步骤1）定义的钨通道的尺寸缩小；

3）预刻蚀聚合物，在步骤2）淀积的聚合物表面打开缺口；

4）在所述深沟槽侧壁和底部淀积一层聚合物；

5）利用高能量等离子体交迭进行聚合物干法刻蚀和淀积，进一步加厚深沟槽侧壁的聚合物，同时减薄或完全打开深沟槽底部的聚合物；

6）利用高能量等离子体，进行深沟槽的各向异性干法刻蚀，彻底打开深沟槽底部的聚合物，并刻蚀深沟槽底部的单晶硅，形成小单晶硅沟槽；

7）循环进行步骤4）至6），直至达到所要求的钨通道深度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1），光刻胶厚度为2～4μm，钨通道的宽度为0.5～2μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2），采用化学气相淀积方法。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2）的淀积条件为：淀积气体以聚合物生成气体C₄F₈为主，上部电极功率为200～800W，下部电极功率为-30V～-180V，淀积时间为10～150秒。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）的刻蚀条件为：刻蚀气体以CF₄为主，上部电极功率为500～1000W，下部电极功率为-200V～-400V，压力为10～50毫托,刻蚀时间为10～150秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4），采用化学气相淀积方法。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤4）的淀积条件为：沉淀气体以C₄F₈气体为主，压力为50～100毫托，上部电极功率为1000～2000W，下部电极功率为-100V～-300V，时间为1～10秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述聚合物为含有C、F成分的有机聚合物，其中，步骤2）的聚合物的厚度为0.1～0.5微米，步骤4）的聚合物的厚度为0.01～0.05微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）的刻蚀和淀积条件为：刻蚀和淀积混合气体以SF₆和C₄F₈气体为主，压力为30～300毫托，上部电极功率为500～2500W，下部电极功率为-20V～-400V，时间为1～10秒。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6）的刻蚀条件为：刻蚀气体以SF₆为主，上部电极功率为1000～2000W，下部电极功率为-150V～-600V，压力为50～150毫托，刻蚀时间为1～10秒。