[发明专利]一种具有多孔结构的双大马士革结构有效
申请号: | 201210343547.2 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN102867810A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 黄君;张瑜;黄海 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供的一种具有多孔结构的双大马士革结构,包括从下到上依次形成的金属互连层、刻蚀阻挡层、氧化物层、第一介电绝缘层、第二介电绝缘层、金属层和孔,所述孔设于所述金属互连层和金属层之间,所述第一介电绝缘层的介电常数为2.7~3.0,所述第二介电绝缘层的介电常数为2.1~2.3。本发明用介电常数比较高的第一介电绝缘层代替与孔同高度的一部分低介电常数的第二介电绝缘层来降低孔的锥形效应,从而消除双孔的孔高降低和削尖问题。本发明的结构简单,制作方便,成本较低,可以很方便的改善锥形孔的现象。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 多孔 结构 大马士革 | ||
【主权项】:
一种具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,包括从下到上依次形成的金属互连层、刻蚀阻挡层、氧化物层、第一介电绝缘层、第二介电绝缘层、金属层和孔,所述孔设于所述金属互连层和金属层之间,所述第一介电绝缘层的介电常数为2.7~3.0,所述第二介电绝缘层的介电常数为2.1~2.3。
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