[发明专利]一种具有多孔结构的双大马士革结构有效
申请号: | 201210343547.2 | 申请日: | 2012-09-17 |
公开(公告)号: | CN102867810A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 黄君;张瑜;黄海 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/522 | 分类号: | H01L23/522 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201210 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 多孔 结构 大马士革 | ||
1.一种具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,包括从下到上依次形成的金属互连层、刻蚀阻挡层、氧化物层、第一介电绝缘层、第二介电绝缘层、金属层和孔,所述孔设于所述金属互连层和金属层之间,所述第一介电绝缘层的介电常数为2.7~3.0,所述第二介电绝缘层的介电常数为2.1~2.3。
2.如权利要求1所述的具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,所述第一介电绝缘层的介电常数为2.9。
3.如权利要求2所述的具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,所述第二介电绝缘层的介电常数为2.2。
4.如权利要求3所述的具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,所述第一介电绝缘层的材料为BDⅠ,所述第二介电绝缘层的材料为BDⅢ。
5.如权利要求1所述的具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,所述刻蚀阻挡层的高度为150±50?,所述氧化物层的高度为100±50?。
6.如权利要求5所述的具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,所述第一介电绝缘层的高度为400±50?。
7.如权利要求6所述的具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,所述刻蚀阻挡层、氧化物层、第一介电绝缘层、第二介电绝缘层的高度分别为150?、100?、400?、800?。
8.如权利要求1所述的具有多孔结构的双大马士革结构,其特征在于,所述金属互连层的材料为铜,所述氧化物层为二氧化硅层。
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