[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其应用无效
| 申请号： | 201210341652.2 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN102856323A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 董树荣;曾杰;吴健;钟雷;戴一思 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种瞬态电压抑制器，包括P衬底；P衬底上嵌设有N阱、第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；N阱上嵌设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；P衬底与N阱的交界处嵌设有第三N+有源注入区；第一N+有源注入区与第三N+有源注入区之间的P衬底上设有栅区，第二N+有源注入区通过金属线引出作为瞬态电压抑制器的阳极，栅区通过金属线与第一N+有源注入区和第一P+有源注入区相连并引出作为瞬态电压抑制器的阴极。本发明瞬态电压抑制器具备相对较低的触发电压，相对较高的维持电压，回滞很小，ESD导通能力很强，具有较强的ESD防护能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 瞬态 电压 抑制器 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种瞬态电压抑制器，包括P衬底；其特征在于：所述的P衬底上嵌设有N阱、第一N+有源注入区和第一P+有源注入区；所述的N阱上嵌设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；P衬底与N阱的交界处嵌设有第三N+有源注入区；所述的第二P+有源注入区与第二N+有源注入区和第三N+有源注入区左右相邻；所述的第一N+有源注入区与第三N+有源注入区和第一P+有源注入区左右相邻；所述的第一N+有源注入区与第三N+有源注入区之间的P衬底上设有栅区，第一N+有源注入区与第一P+有源注入区通过场氧隔离；所述的第二N+有源注入区通过金属线引出作为瞬态电压抑制器的阳极，所述的栅区通过金属线与第一N+有源注入区和第一P+有源注入区相连并引出作为瞬态电压抑制器的阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
