[发明专利]一种瞬态电压抑制器及其应用无效

专利信息
申请号: 201210341652.2 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN102856323A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 董树荣;曾杰;吴健;钟雷;戴一思 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 胡红娟
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 瞬态 电压 抑制器 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种瞬态电压抑制器,包括P衬底;其特征在于:

所述的P衬底上嵌设有N阱、第一N+有源注入区和第一P+有源注入区;所述的N阱上嵌设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区;P衬底与N阱的交界处嵌设有第三N+有源注入区;

所述的第二P+有源注入区与第二N+有源注入区和第三N+有源注入区左右相邻;所述的第一N+有源注入区与第三N+有源注入区和第一P+有源注入区左右相邻;

所述的第一N+有源注入区与第三N+有源注入区之间的P衬底上设有栅区,第一N+有源注入区与第一P+有源注入区通过场氧隔离;

所述的第二N+有源注入区通过金属线引出作为瞬态电压抑制器的阳极,所述的栅区通过金属线与第一N+有源注入区和第一P+有源注入区相连并引出作为瞬态电压抑制器的阴极。

2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于:所述的第二P+有源注入区的宽度为2~4um。

3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于:所述的第二N+有源注入区与第二P+有源注入区的间距为0~1um。

4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于:所述的第二P+有源注入区与第三N+有源注入区的间距为1~3um。

5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器,其特征在于:瞬态电压抑制器的阴阳两极间跨接有多条二极管导向支路。

6.根据权利要求5所述的瞬态电压抑制器,其特征在于:所述的二极管导向支路由两个二极管组成;其中,第一二极管的阴极接瞬态电压抑制器的阳极,第一二极管的阳极与第二二极管的阴极相连并作为I/O接口,第二二极管的阳极接瞬态电压抑制器的阴极并接地。

7.一种插指式瞬态电压抑制器,其特征在于:包括多个如权利要求1~6任一权利要求所述的瞬态电压抑制器;多个瞬态电压抑制器共用一个P衬底,多个瞬态电压抑制器阳极共连作为插指式瞬态电压抑制器的阳极,多个瞬态电压抑制器阴极共连作为插指式瞬态电压抑制器的阴极。

8.根据权利要求7所述的插指式瞬态电压抑制器,其特征在于:插指式瞬态电压抑制器的阴阳两极间跨接有多条二极管导向支路。

9.根据权利要求8所述的插指式瞬态电压抑制器,其特征在于:所述的二极管导向支路由两个二极管组成,其中,第一二极管的阴极接插指式瞬态电压抑制器的阳极,第一二极管的阳极与第二二极管的阴极相连并作为I/O接口,第二二极管的阳极接插指式瞬态电压抑制器的阴极并接地。

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