[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201210318437.0 | 申请日： | 2012-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102820392A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | 王明军;魏世祯;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。该外延片包括衬底层、依次覆盖在衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与各量子垒层相互交替生长的量子阱层，每个量子垒层为超晶格结构；超晶格结构由不掺杂的GaN层和n型掺杂的AlxInyGa1-x-yN层交替层叠而成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。本发明通过将发光二极管的外延片的中的每个量子垒层设置为超晶格结构，该超晶格结构由不掺杂的GaN层和n型掺杂的AlxInyGa1-x-yN层交替而成，提高了内量子效率；同时，采用n型掺杂的AlxInyGa1-x-yN可以有效的增加电子隧穿几率，提高了晶体质量的同时降低了工作电压，提高了抗静电能力，并减小了热阻，降低了结温。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与各所述量子垒层相互交替生长的量子阱层，其特征在于，每个所述量子垒层为超晶格结构；所述超晶格结构由不掺杂的GaN层和n型掺杂的AlxInyGa1‑x‑yN层交替层叠而成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。
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