[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底层、依次覆盖在所述衬底层上的缓冲层、N型层、多量子阱层和P型层；所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与各所述量子垒层相互交替生长的量子阱层，其特征在于，每个所述量子垒层为超晶格结构；所述超晶格结构由不掺杂的GaN层和n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层交替层叠而成，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。

2.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，0.05≤x≤0.3，0≤y≤0.2。

3.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述N型层由n型掺杂的GaN制成，所述n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层的n型掺杂的浓度不高于所述N型层的n型掺杂的浓度。

4.如权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述n型掺杂为Si掺杂，所述n型掺杂的浓度不高于1×10¹⁸/cm³。

5.如权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述量子垒层的厚度不大于20nm。

6.如权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述不掺杂的GaN层的厚度不大于5nm，所述n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层的厚度不大于10nm。

7.如权利要求1-6任一项所述的外延片，其特征在于，各所述n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层的所述n型掺杂的浓度不同。

8.如权利要求1-6任一项所述的外延片，其特征在于，各所述n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层的组分含量不同。

9.如权利要求1-6任一项所述的外延片，其特征在于，各所述量子垒层的厚度不同。

10.一种发光二极管的外延片的制造方法，所述方法包括：提供衬底并在所述衬底上依次生长缓冲层、N型层、多量子阱层、以及P型层，所述多量子阱层包括若干个量子垒层和若干个与各所述量子垒层相互交替生长的量子阱层，其特征在于，生长每个所述量子垒层包括：交替层叠生长不掺杂的GaN层和n型掺杂的Al_xIn_yGa_1-x-yN层，每个所述量子垒至少包括四层，其中，0≤x＜1，0≤y＜1。