[发明专利]自对准双重图形的形成方法在审
| 申请号： | 201210312950.9 | 申请日： | 2012-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN103632928A | 公开（公告）日： | 2014-03-12 |
| 发明（设计）人： | 沈满华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 种自对准双重图形的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层；在待刻蚀材料层表面形成可溶于显影液的底部抗反射层和光刻胶层；对底部抗反射层和光刻胶层同步进行曝光显影，形成图形化的牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层；在所述待刻蚀材料层表面，牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面，牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，形成第一掩膜图形；去除所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层。由于所述经曝光的底部抗反射层和光刻胶层同步溶于显影液，不需要利用牺牲光刻胶层为掩膜对所述底部抗反射层进行刻蚀，节省了一步刻蚀工艺，且所述第一掩膜图形的侧壁形貌较佳，使得最终形成的刻蚀图形的侧壁形貌较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 双重 图形 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种自对准双重图形的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀材料层；在所述待刻蚀材料层表面形成可溶于显影液的底部抗反射层，在所述底部抗反射层表面形成光刻胶层；对所述底部抗反射层和光刻胶层同步进行曝光显影，在所述待刻蚀材料层表面形成图形化的牺牲底部抗反射层和位于牺牲底部抗反射层表面的牺牲光刻胶层；在所述待刻蚀材料层表面，牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面，牺牲光刻胶层表面形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行回刻蚀，直到暴露出所述待刻蚀材料层表面，位于所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层的侧壁表面的第一掩膜材料层形成第一掩膜图形；去除所述牺牲底部抗反射层和牺牲光刻胶层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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