[发明专利]氮化物半导体模板及发光二极管有效
| 申请号： | 201210295500.3 | 申请日： | 2012-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN102956773A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 今野泰一郎;藤仓序章 | 申请（专利权）人： | 日立电线株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/20 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;於毓桢 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的课题是提供一种低电阻、结晶性良好的氮化物半导体模板以及使用该氮化物半导体模板的发光二极管。氮化物半导体模板(10)具备：基板(11)；在基板(11)上形成作为添加了O（氧）的O添加层的O掺杂GaN层(12)、在O掺杂GaN层(12)上形成作为添加了Si的Si添加层的Si掺杂GaN层(14)而成的Ⅲ族氮化物半导体层，Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，Si掺杂GaN层(14)中的Si的平均载流子浓度为1×1018cm-3以上5×1018cm-3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 模板 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化物半导体模板，其具备：基板；在所述基板上形成添加了O（氧）的O添加层、在所述O添加层上形成添加了Si的Si添加层而成的Ⅲ族氮化物半导体层，所述Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，所述Si添加层中的Si的平均载流子浓度为1×1018cm‑3以上5×1018cm‑3以下。
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