[发明专利]氮化物半导体模板及发光二极管

权利要求书

1.一种氮化物半导体模板，其具备：基板；在所述基板上形成添加了O（氧）的O添加层、在所述O添加层上形成添加了Si的Si添加层而成的Ⅲ族氮化物半导体层，

所述Ⅲ族氮化物半导体层的整体的膜厚为4μm以上10μm以下，所述Si添加层中的Si的平均载流子浓度为1×10¹⁸cm^-3以上5×10¹⁸cm^-3以下。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体模板，其中，所述O添加层中的O的杂质浓度为1×10¹⁶cm^-3以上3×10¹⁹cm^-3以下，O的平均载流子浓度为0.8×10¹⁸cm^-3以上1×10¹⁸cm^-3以下。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物半导体模板，其表面电阻率为10Ω/□以上20Ω/□以下。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的氮化物半导体模板，其中，所述Ⅲ族氮化物半导体层的通过X射线衍射得到的（0004）面的半峰宽为50秒以上100秒以下。

5.根据权利要求1～4的任一项所述的氮化物半导体模板，其中，所述Ⅲ族氮化物半导体层为将GaN作为主成分的层。

6.根据权利要求5所述的氮化物半导体模板，其中，在所述将GaN作为主成分的层与所述基板之间设置有AlN作为缓冲层。

7.根据权利要求6所述的氮化物半导体模板，其中，所述AlN缓冲层的厚度为10nm以上100nm以下。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的氮化物半导体模板，其中，所述基板在表面上形成有多个凸部。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的氮化物半导体模板，其中，所述Ⅲ族氮化物半导体层为通过氢化物气相生长法进行生长而得的。

10.一种发光二极管，其具有下述叠层结构：

具备蓝宝石基板、在所述蓝宝石基板上形成的AlN缓冲层、在所述AlN缓冲层上形成的n型Ⅲ族氮化物半导体层、在所述n型Ⅲ族氮化物半导体层上形成的多量子阱层、在所述多量子阱层上形成的p型氮化物半导体层、从所述p型氮化物半导体层侧到n型Ⅲ族氮化物半导体层实施蚀刻而形成的所述n型Ⅲ族氮化物半导体层的露出部、在所述n型Ⅲ族氮化物半导体层的所述露出部上形成的n型电极、在所述p型氮化物半导体层侧形成的p型电极，

所述n型Ⅲ族氮化物半导体层是在所述AlN缓冲层上形成添加了O的O添加层、在所述O添加层上形成添加了Si的Si添加层而成的，所述Ⅲ族氮化物半导体层整体的膜厚为4μm以上10μm以下，所述Si添加层中的Si的平均载流子浓度为1×10¹⁸cm^-3以上5×10¹⁸cm^-3以下。