[发明专利]一种半导体器件的漏电测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210279111.1 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103579193A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 彭冰清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的漏电测试结构，包括：氧化物材料层；位于所述氧化物材料层上方的至少一个接触孔；位于接触孔上方的第一金属层，所述第一金属层包括至少一个第一导电沟槽和至少一个第二导电沟槽，第一导电沟槽和所述接触孔电连接；位于所述第一金属层上方的第二金属层，所述第二金属层具有至少一个第一导电梳状结构和至少一个第二导电梳状结构，所述第一导电梳状结构具有至少一个第一导电梳齿，所述第二导电梳状结构具有至少一个第二导电梳齿，所述第一导电梳齿和所述第一导电沟槽通过第一通孔电连接，第二导电梳齿和第二导电沟槽通过第二通孔电连接。本发明消除了测试的其他影响因素，为更小尺寸器件的检测提供标准以及检测方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 漏电 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的漏电测试结构，包括：氧化物材料层；位于所述氧化物材料层上方的至少一个接触孔；位于所述至少一个接触孔上方的第一金属层，所述第一金属层包括至少一个第一导电沟槽和至少一个第二导电沟槽，其中所述第一导电沟槽和所述接触孔电连接；位于所述第一金属层上方的第二金属层，所述第二金属层具有至少一个第一导电梳状结构和至少一个第二导电梳状结构，所述第一导电梳状结构具有至少一个第一导电梳齿，所述第二导电梳状结构具有至少一个第二导电梳齿，所述第一导电梳状结构与第二导电梳状结构相对设置，并且所述第一导电梳齿和所述第二导电梳齿相互交错，其中，所述第一导电梳齿和所述第一导电沟槽通过第一通孔电连接，所述第二导电梳齿和所述第二导电沟槽通过第二通孔电连接。
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