[发明专利]一种半导体器件的漏电测试结构及测试方法有效
| 申请号： | 201210279111.1 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN103579193A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 彭冰清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 漏电 测试 结构 方法 | ||
1.一种半导体器件的漏电测试结构，包括：
氧化物材料层；
位于所述氧化物材料层上方的至少一个接触孔；
位于所述至少一个接触孔上方的第一金属层，所述第一金属层包括至少一个第一导电沟槽和至少一个第二导电沟槽，其中所述第一导电沟槽和所述接触孔电连接；
位于所述第一金属层上方的第二金属层，所述第二金属层具有至少一个第一导电梳状结构和至少一个第二导电梳状结构，所述第一导电梳状结构具有至少一个第一导电梳齿，所述第二导电梳状结构具有至少一个第二导电梳齿，所述第一导电梳状结构与第二导电梳状结构相对设置，并且所述第一导电梳齿和所述第二导电梳齿相互交错，其中，所述第一导电梳齿和所述第一导电沟槽通过第一通孔电连接，所述第二导电梳齿和所述第二导电沟槽通过第二通孔电连接。
2.根据权利要求1所述的漏电测试结构，其特征在于，所述第一导电沟槽和第二导电沟槽之间的距离大于或等于0.1um。
3.根据权利要求1所述的漏电测试结构，其特征在于，所述第一导电梳齿和所述第二导电梳齿之间的距离大于或等于0.1um。
4.根据权利要求1所述的漏电测试结构，其特征在于，所述第一导电沟槽和第二导电沟槽的面积大于或等于0.1um2。
5.根据权利要求1所述的漏电测试结构，其特征在于，所述第一导电梳齿和所述第二导电梳齿的宽度大于或等于0.3um。
6.一种基于权利要求1至5之一所述漏电测试结构的测试方法，包括：改变所述接触孔和所述第二导电沟槽之间距离，同时测定每个距离下所述第一导电梳状结构和第二导电梳状结构之间的电容，以此确定所述接触孔和所述第二导电沟槽之间的安全距离。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法应用于与时间相关电介质击穿的相关测试。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法中可以任意选择第二金属层中的多个导电梳齿进行测试。
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