[发明专利]MOS器件及其制作方法、CMOS器件的制作方法

摘要

本发明提供一种MOS器件、一种MOS器件的制作方法和两种CMOS器件的制作方法。所述MOS器件的制作方法包括：提供衬底，衬底上包括多晶硅栅；在衬底和多晶硅栅上依次形成中间层、隔离层和第一层间介质层；使第一层间介质层的上表面与隔离层的上表面齐平；去除多晶硅栅上方的隔离层、多晶硅栅上方的中间层和多晶硅栅，形成沟槽；在沟槽中形成金属栅极；进行平坦化处理，使金属栅极的上表面、第一层间介质层的上表面、隔离层的上表面和中间层的上表面齐平；去除位于金属栅极侧壁的中间层，形成空隙；在第一层间介质层、隔离层、空隙和金属栅极的上表面形成第二层间介质层。本发明可精确控制金属栅极的厚度，降低寄生电容，提高器件性能。

主权项

一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上包括多晶硅栅，所述多晶硅栅两侧的衬底中包括源／漏区：在所述衬底和所述多晶硅栅上依次形成中间层、隔离层和第一层间介质层：进行平坦化处理，使所述第一层间介质层的上表面与所述隔离层的上表面齐平；去除所述多晶硅栅上方的所述隔离层，剩余的所述隔离层的上表面与所述中间层的上表面齐平；去除所述多晶硅栅上方的所述中间层，剩余的所述中间层的上表面与所述多晶硅栅的上表面齐平；去除所述多晶硅栅，形成沟槽；在所述沟槽中形成金属栅极；进行平坦化处理，使所述金属栅极的上表面、所述第一层间介质层的上表面、所述隔离层的上表面和所述中间层的上表面齐平；去除位于所述金属栅极侧壁的所述中间层，形成空隙；在所述第一层间介质层、所述隔离层、所述空隙和所述金属栅极的上表面形成第二层间介质层。