[发明专利]MOS器件及其制作方法、CMOS器件的制作方法

权利要求书

1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上包括多晶硅栅，所述多晶硅栅两侧的衬底中包括源／漏区：

在所述衬底和所述多晶硅栅上依次形成中间层、隔离层和第一层间介质层：

进行平坦化处理，使所述第一层间介质层的上表面与所述隔离层的上表面齐平；

去除所述多晶硅栅上方的所述隔离层，剩余的所述隔离层的上表面与所述中间层的上表面齐平；

去除所述多晶硅栅上方的所述中间层，剩余的所述中间层的上表面与所述多晶硅栅的上表面齐平；

去除所述多晶硅栅，形成沟槽；

在所述沟槽中形成金属栅极；

进行平坦化处理，使所述金属栅极的上表面、所述第一层间介质层的上表面、所述隔离层的上表面和所述中间层的上表面齐平；

去除位于所述金属栅极侧壁的所述中间层，形成空隙；

在所述第一层间介质层、所述隔离层、所述空隙和所述金属栅极的上表面形成第二层间介质层。

2.如权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中间层的材质包括：无定形碳和有机抗反射材料中的一种或多种；所述中间层的厚度范围包括：

3.如权利要求1或2所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述隔离层的材质包括：氮化硅和氮氧化硅中的一种或两种；所述隔离层的厚度范围包括：

4.如权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中间层和所述隔离层的刻蚀选择比范围包括：8～20。

5.如权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中间层和所述第一层间介质层的刻蚀选择比范围包括：8～20；所述隔离层和所述第一层间介质层的刻蚀选择比范围包括：8～20。

6.如权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述多晶硅栅上方的所述隔离层、所述多晶硅栅上方的所述中间层和所述多晶硅栅在同一干法刻蚀腔室中被去除。

7.如权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述衬底和所述多晶硅栅之间包括高K栅介质层；形成所述金属栅极包括依次形成功函数金属层和栅极金属层。

8.如权利要求1所述的MOS器件的制作方法，其特征在于，所述中间层采用化学气相沉积工艺形成；去除位于所述金属栅极侧壁的所述中间层采用灰化方法实现。

9.一种CMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，与所述第一区域对应的衬底上包括第一多晶硅栅，与所述第二区域对应的衬底上包括第二多晶硅栅；

在所述衬底、所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅上依次形成中间层、隔离层和第一层间介质层；

进行平坦化处理，使所述第一层间介质层的上表面与所述隔离层的上表面齐平；

在所述第二区域对应的隔离层和第一层间介质层上形成第一硬掩模层；

去除所述第一多晶硅栅上方的所述隔离层，剩余的所述隔离层的上表面与所述中间层的上表面齐平；

去除所述第一多晶硅栅上方的所述中间层，剩余的所述中间层的上表面与所述第一多晶硅栅的上表面齐平；

去除所述第一多晶硅栅，形成第一沟槽；

在所述第一沟槽中形成第一金属栅极，去除所述第一硬掩模层，且第一金属栅极的上表面与所述第一层间介质层的上表面齐平；

在所述第一区域对应的隔离层和第一层间介质层上形成第二硬掩模层；

去除所述第二多晶硅栅上方的所述隔离层，剩余的所述隔离层的上表面与所述中间层的上表面齐平；

去除所述第二多晶硅栅上方的所述中间层，剩余的所述中间层的上表面与所述第二多晶硅栅的上表面齐平；

去除所述第二多晶硅栅，形成第二沟槽；

在所述第二沟槽中形成第二金属栅极；

进行平坦化处理，去除所述第二硬掩模层，且使所述第一金属栅极的上表面、所述第二金属栅极的上表面、所述第一层间介质层的上表面、所述隔离层的上表面和所述中间层的上表面齐平；

去除位于所述第一金属栅极侧壁和所述第二金属栅极侧壁的所述中间层，形成空隙；

在所述第一层间介质层、所述隔离层、所述空隙、所述第一金属栅极和所述第二金属栅极的上表面形成第二层间介质层。