[发明专利]SoC衬底及其制造方法

摘要

本发明提供一种SoC衬底制造方法，在体硅衬底的正面顶部直接形成位于隔离区的局部区域的掺杂多晶硅电极，然后通过通入所述掺杂多晶硅电极的电流使得腐蚀液侵入体硅衬底背面，形成了从衬底背面延伸至隔离区的多孔硅隔离结构，避免了氮化硅层的使用及其对衬底机械应力的影响，可以与现有标准CMOS工艺的完全兼容；本发明提供的SoC衬底主要是由体硅和多孔硅形成的结构，有效解决了低阻衬底串扰，有效抑制了系统集成后不同器件区间互相串扰的问题，同时利用体硅和多孔硅同于硅材料的性质来提高衬底的机械强度。

主权项

一种SoC衬底制造方法，其特征在于，包括：提供一体硅衬底，所述体硅衬底包括多个器件区以及位于相邻器件区之间的隔离区；在所述体硅衬底的正面顶部形成位于隔离区的局部区域的掺杂多晶硅电极；在所述掺杂多晶硅电极和体硅衬底正面上沉积氧化层；在所述氧化层中形成位于所述体硅衬底的器件区上方的焊盘；在所述氧化层上形成钝化层，获得待腐蚀的硅片；将所述待腐蚀的硅片封装，并将所述待腐蚀的硅片的背面置于一腐蚀液中；通过所述掺杂多晶硅电极，从所述待腐蚀硅片的背面开始选择性局域生长多孔硅，形成带有多孔硅衬底隔离结构的SoC衬底。