[发明专利]SoC衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种SoC衬底制造方法，其特征在于，包括：

提供一体硅衬底，所述体硅衬底包括多个器件区以及位于相邻器件区之间的隔离区；

在所述体硅衬底的正面顶部形成位于隔离区的局部区域的掺杂多晶硅电极；

在所述掺杂多晶硅电极和体硅衬底正面上沉积氧化层；

在所述氧化层中形成位于所述体硅衬底的器件区上方的焊盘；

在所述氧化层上形成钝化层，获得待腐蚀的硅片；

将所述待腐蚀的硅片封装，并将所述待腐蚀的硅片的背面置于一腐蚀液中；

通过所述掺杂多晶硅电极，从所述待腐蚀硅片的背面开始选择性局域生长多孔硅，形成带有多孔硅衬底隔离结构的SoC衬底。

2.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述体硅衬底的厚度为100~400微米。

3.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述体硅衬底的掺杂类型为P型，晶向为<001>。

4.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述掺杂多晶硅电极的厚度为250～500埃。

5.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述氧化层为二氧化硅，厚度为100～300纳米。

6.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述焊盘包括50～80纳米的钛层以及位于钛层上表面的0.8～2微米的铝层。

7.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，相邻焊盘间的间距为100~200微米。

8.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述腐蚀液为体积比为1:2~1:10的40%HF与99.7%酒精的混合液。

9.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，还包括：

在所述体硅衬底的正面上形成位于器件区的局部区域的掺杂多晶硅电极，所述器件区的掺杂多晶硅电极和隔离区的掺杂多晶硅电极相互孤立。

10.如权利要求9所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述焊盘与所述位于器件区的局部区域的掺杂多晶硅电极一一对准。

11.如权利要求9所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，通过所述掺杂多晶硅电极，从所述待腐蚀硅片的背面开始选择性局域生长多孔硅的步骤包括：

为所有的掺杂多晶硅电极加载电流，使得所述待腐蚀的硅片的背面生长多孔硅；

待所述多孔硅生长至一定厚度时，撤去加载至所述器件区的局部区域的掺杂多晶硅电极的电流，保留所述隔离区的局部区域的掺杂多晶硅电极的电流，直至所述多孔硅的生长使得所述隔离区的局部区域的掺杂多晶硅电极消失。

12.如权利要求10所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，为所有掺杂多晶硅电极加载的电流密度为10~40毫安每平方厘米。

13.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，所述带有多孔硅衬底隔离结构的SoC衬底的正面表层的多孔硅宽度为50~100微米。

14.如权利要求1所述的SoC衬底制造方法，其特征在于，将所述待腐蚀的硅片封装时，还在所述待腐蚀的硅片的背面预留腐蚀孔。

15.一种SoC衬底，其特征在于，包括：

具有正面和背面的体硅衬底，所述体硅衬底包括多个器件区以及位于相邻器件区之间的隔离区；

覆盖于所述体硅衬底正面上的氧化层；

位于所述氧化层中且位于所述体硅衬底的器件区上方的焊盘；

覆盖于所述氧化层上的钝化层；以及

从所述体硅衬底的背面延伸至其正面且主体位于所述隔离区中的多孔硅衬底隔离结构。

16.如权利要求15所述的SoC衬底，其特征在于，还包括：位于所述体硅衬底的正面顶部且位于所述器件区的局部区域的掺杂多晶硅电极。

17.如权利要求16所述的SoC衬底，其特征在于，所述位于器件区的局部区域的掺杂多晶硅电极与所述焊盘一一对准。

18.如权利要求15所述的SoC衬底，其特征在于，所述体硅衬底的厚度为100~400微米。