[发明专利]封装的半导体器件及封装半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201210191944.2 | 申请日： | 2012-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN103187388A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;洪瑞斌;刘乃玮;茅一超;施婉婷;董簪华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了在半导体器件衬底上形成模塑料使晶圆级封装(WLP)中的扇出结构成为可能的机制。该机制包括覆盖包围接触焊盘的绝缘层的部分表面。该机制改善了封装件的可靠性和封装工艺的工艺控制。该机制还降低了界面分层的风险，以及在后续加工期间绝缘层的过度除气。该机制还改善了平坦化终点的确定。通过利用接触焊盘和绝缘层之间的保护层，可以降低铜的外扩散并且也可以改善接触焊盘和绝缘层之间的粘着性。本发明提供了封装的半导体器件及封装半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种封装的半导体器件，包括：接触焊盘，位于半导体管芯上；绝缘层，包围所述接触焊盘；以及模塑料，包围所述绝缘层，其中，所述模塑料与所述绝缘层的两个邻近的且非线性的表面相接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210191944.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
