[发明专利]FinFET及其形成方法

摘要

一种方法，包括提供多个相互平行的半导体鳍状件，并包括两个边缘鳍状件和位于两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件。两个边缘鳍状件的每一个的中部被蚀刻，而中心鳍状件不被蚀刻。栅极电介质形成在中心鳍状件的顶面和侧壁上。栅电极形成在栅极电介质的上方。两个边缘鳍状件的端部和中心鳍状件的端部凹进。执行外延，以形成外延区域，其中从由两个边缘鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料与从由中心鳍状件的端部留下的间隔生长的外延材料相结合，以形成外延区域。源极/漏极区域形成在外延区域中。本发明还提供了一种FinFET及其形成方法。

主权项

一种方法，包括：提供一种结构，所述结构包括：半导体衬底；隔离区域，位于所述半导体衬底的表面上；多个半导体带状件，位于所述隔离区域之间；以及多个半导体鳍状件，位于所述多个半导体带状件中相应半导体带状件上方并与所述多个半导体带状件中相应半导体带状件对准，其中，所述多个半导体鳍状件相互平行并包括两个边缘鳍状件和位于所述两个边缘鳍状件之间的中心鳍状件；蚀刻所述两个边缘鳍状件中的每一个的中部；在所述中心鳍状件的中部的侧壁上形成栅极电介质；在栅极电介质上方形成栅电极；执行外延，以形成外延区域，其中，所述外延区域延伸至所述两个边缘鳍状件下面的所述多个半导体带状件中的两个的上方，并且延伸至所述中心鳍状件下面的所述多个半导体带状件之一的上方；以及在所述外延区域中形成源极/漏极区域。