[发明专利]用于多芯片器件的热增强结构有效
| 申请号： | 201210187435.2 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN102983109A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 余振华;董志航;邵栋梁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多芯片半导体器件，该器件包括热增强结构、第一半导体芯片、第二半导体芯片、形成在第一半导体芯片和第二半导体芯片上的顶部上的封装材料层。该多芯片半导体器件进一步包括形成在封装层中的多个热通孔。该热增强结构包括与第一半导体管芯相接合的散热器模块。该散热器模块可以进一步包括多种热通孔和热开口。通过使用热增强结构，改进了多芯片半导体器件的热性能。本发明还提供了一种用于多芯片器件的热增强结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 芯片 器件 增强 结构 | ||
【主权项】：
一种结构，包括：散热器模块，具有与第一半导体管芯相接合的第一表面；所述第一半导体管芯，与第二半导体管芯相连接；封装材料层，位于所述半导体管芯和所述第二半导体管芯中的至少一个上；再分配层，形成在所述封装材料层上，并且与所述第二半导体管芯相连接；以及多个热通孔，与所述散热器模块的第二表面相连接。
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