[发明专利]用于多芯片器件的热增强结构

权利要求书

1.一种结构，包括：

散热器模块，具有与第一半导体管芯相接合的第一表面；

所述第一半导体管芯，与第二半导体管芯相连接；

封装材料层，位于所述半导体管芯和所述第二半导体管芯中的至少一个上；

再分配层，形成在所述封装材料层上，并且与所述第二半导体管芯相连接；以及

多个热通孔，与所述散热器模块的第二表面相连接。

2.根据权利要求1所述的结构，其中，所述散热器模块与所述第一半导体管芯的背面相接合。

3.根据权利要求1所述的结构，其中，所述散热器模块与所述第一半导体管芯的正面相接合，并且其中，所述散热器模块具有多个开口。

4.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：

多个铜柱，连接在所述第二半导体管芯和所述再分配层之间。

5.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：

第二散热器模块，设置在所述散热器模块和所述再分配层之间；以及焊球，设置在所述再分配层下面。

6.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：

第三半导体管芯，设置在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间；以及

多个凸块，设置在所述第一半导体管芯和所述第三半导体管芯之间。

7.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：

第二再分配层，形成在所述第二半导体管芯和所述封装材料层之间。

8.一种结构，包括：

第一散热器模块，与第一半导体管芯的背面相接合；

所述第一半导体管芯，与中介层相连接；以及

衬底，通过多个焊球与所述中介层相连接，其中，所述第一半导体管芯设置在所述中介层和所述衬底之间。

9.根据权利要求8所述的结构，进一步包括：

多个凸块，设置在所述第一半导体管芯和所述中介层之间。

10.根据权利要求8所述的结构，进一步包括：

再分配层，形成在所述中介层上；

多个凸块下金属化结构，形成在所述再分配层上；以及

多个焊球，设置在所述衬底和所述再分配层之间。