[发明专利]封装结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210187433.3 | 申请日： | 2012-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN103117261B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 萧景文;郑明达;林志伟;陈承先;陈志华;郭正铮 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括再分配线，以及在该再分配线上模制的聚合物区域。该聚合物区域包括第一平坦顶面。焊接区域设置在该聚合物区域中并且与再分配线电连接。焊接区域包括不高于第一平坦顶面的第二平坦顶面。本发明提供了封装结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 封装 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路的封装器件，包括：再分配线，形成第一凹槽和第二凹槽；聚合物区域，模制在所述再分配线的上方并且延伸至所述第二凹槽中，其中，所述聚合物区域包括第一平坦顶面；以及焊接区域，位于所述聚合物区域中并且与所述再分配线电连接，其中，所述焊接区域延伸至所述第一凹槽中，所述焊接区域包括低于所述第一平坦顶面的第二平坦顶面，并且所述第二平坦顶面低于所述焊接区域周围的所述聚合物区域的所有平坦顶面，并且所述第二平坦顶面上方的所述聚合物区域的未与所述焊接区域接触的侧壁呈弧形；封装元件，设置在所述聚合物区域中，其中，所述封装元件的顶面与所述第一平坦顶面齐平。
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