[发明专利]MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210181130.0 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456710A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈建奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS器件及其制造方法，所述MOS器件包括衬底、形成于所述衬底之上的栅极结构、以及分别位于所述栅极结构两侧衬底中的漏极区和源极区；所述衬底设有第一阱区和第二阱区，所述第一阱区与第二阱区在所述栅极结构底部的衬底中相接；所述漏极区位于所述第一阱区；所述源极区位于所述第二阱区；在所述漏极区上，设有反熔丝元件。本发明的MOS器件可适应较高的工作电压，进而使得MOS器件可以适应于高功率下工作的电子产品。 | ||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS器件，包括衬底、形成于所述衬底之上的栅极结构、以及分别位于所述栅极结构两侧衬底中的漏极区和源极区，其特征在于：所述衬底设有第一阱区和第二阱区，所述第一阱区与第二阱区在所述栅极结构底部的衬底中相接；所述漏极区位于所述第一阱区；所述源极区位于所述第二阱区；在所述漏极区上，设有反熔丝元件。
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