[发明专利]MOS器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210181130.0 | 申请日： | 2012-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN103456710A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈建奇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种MOS器件，包括衬底、形成于所述衬底之上的栅极结构、以及分别位于所述栅极结构两侧衬底中的漏极区和源极区，其特征在于：
所述衬底设有第一阱区和第二阱区，所述第一阱区与第二阱区在所述栅极结构底部的衬底中相接；
所述漏极区位于所述第一阱区；
所述源极区位于所述第二阱区；
在所述漏极区上，设有反熔丝元件。
2.根据权利要求1所述的MOS器件，其特征在于，所述反熔丝元件包括：形成于所述漏极区上的自对准硅化物阻挡层；以及形成于所述自对准硅化物阻挡层上的接触孔。
3.根据权利要求2所述的MOS器件，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层材料为氧化硅，厚度为3~10纳米。
4.根据权利要求2所述的MOS器件，其特征在于，所述接触孔材料为钨，厚度为200~400纳米。
5.根据权利要求1至4任一项所述的MOS器件，其特征在于：所述第一阱区为N型阱区，所述第二阱区为P型阱区，所述漏极区为N型离子重掺杂漏极区，所述源极区为N型离子重掺杂源极区。
6.根据权利要求1至4任一项所述的MOS器件，其特征在于：所述第一阱区为P型阱区，所述第二阱区为N型阱区，所述漏极区为P型离子重掺杂漏极区，所述源极区为P型离子重掺杂源极区。
7.一种MOS器件的制造方法，包括：
提供衬底，并对所述衬底的不同区域分别进行离子注入以形成第一阱区和第二阱区，且所述第一阱区和第二阱区在所述衬底中相接；
在所述衬底上形成栅极结构，所述第一阱区与第二阱区的相接部分位于所述栅极结构底部；
在所述第一阱区和第二阱区中进行离子注入以分别形成漏极区和源极区；
在所述漏极区上形成反熔丝元件。
8.根据权利要求7所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，在所述漏极区的衬底之上形成反熔丝元件，具体包括：
在所述漏极区上形成自对准硅化物阻挡层；
在所述自对准硅化物阻挡层上形成接触孔。
9.根据权利要求8所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述自对准硅化物阻挡层为氧化硅，采用化学气相沉积CVD方法制成。
10.根据权利要求8所述的MOS器件的制造方法，其特征在于，所述接触孔材料为钨，采用物理气相沉积PVD方法制成。
11.根据权利要求7至10任一项所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：采用N型离子注入进行轻掺杂形成所述第一阱区，采用P型离子注入进行轻掺杂形成所述第二阱区，采用N型离子注入进行重掺杂形成所述漏极区，采用N型离子注入进行重掺杂形成所述源极区。
12.根据权利要求7至10任一项所述的MOS器件的制造方法，其特征在于：采用P型离子注入进行轻掺杂形成所述第一阱区，采用N型离子注入进行轻掺杂形成所述第二阱区，采用P型离子注入进行重掺杂形成所述漏极区，采用P型离子注入进行重掺杂形成所述源极区。
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