[发明专利]一种总剂量辐射加固的半导体存储器有效
| 申请号： | 201210155376.0 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102709288A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 李平;王刚;李威;张大华;谢小东;李建军;范雪 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L27/112 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种总剂量辐射加固的半导体存储器，涉及集成电路。本发明包括存储单元和选择管，其特征在于，还包括一个第一晶体管，所述第一晶体管与存储单元、选择管串联，并且第一晶体管的栅氧化层厚度小于选择管。本发明的有益效果是，能够在原先半导体存储器的基础上，无需增加额外的掩膜和工艺步骤，以较小的芯片面积为代价，甚至无需牺牲芯片面积，通过串联上较薄栅氧化层厚度的MOS晶体管，即可提高半导体存储器的抗电离辐射能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 剂量 辐射 加固 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
一种总剂量辐射加固的半导体存储器，包括存储单元和选择管，其特征在于，还包括一个第一晶体管，所述第一晶体管与存储单元、选择管串联，并且第一晶体管的栅氧化层厚度小于选择管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
