[发明专利]沟槽型功率MOSFET及其制备方法无效
| 申请号： | 201210147143.6 | 申请日： | 2012-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103426924A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 周宏伟;阮孟波;吴宗宪 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;朱海煜 |
| 地址： | 214028 中国江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽型功率MOSFET及其制备方法，属于沟槽型功率MOSFET技术领域。该制备方法包括步骤：提供半导体衬底；在所述衬底上生长形成第一漂移区；对所述第一漂移区构图刻蚀形成第二沟槽；在所述第二沟槽中外延生长半导体层以形成部分地填充所述第二沟槽底部的第二漂移区，并且，所述第二漂移区的掺杂浓度高于所述第一漂移区的掺杂浓度；以及在所述第二漂移区上方、所述第二沟槽内形成栅沟槽结构。该制备方法过程简单可靠，通过该方法制备形成的沟槽型功率MOSFET的导通电阻小。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 功率 mosfet 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽型功率MOSFET，至少包括栅沟槽和漂移层，其特征在于，所述漂移层包括所述栅沟槽结构正下方的第二漂移区以及所述第二漂移区之外的第一漂移区，所述第二漂移区通过单独的外延生长过程形成以使所述第二漂移区的掺杂浓度高于所述第一漂移区的掺杂浓度。
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