[发明专利]沟槽型功率MOSFET及其制备方法

权利要求书

1.一种沟槽型功率MOSFET，至少包括栅沟槽和漂移层，其特征在于，所述漂移层包括所述栅沟槽结构正下方的第二漂移区以及所述第二漂移区之外的第一漂移区，所述第二漂移区通过单独的外延生长过程形成以使所述第二漂移区的掺杂浓度高于所述第一漂移区的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的沟槽型功率MOSFET，其特征在于，所述第二漂移区的掺杂浓度的范围掺杂浓度范围为1×10¹⁵离子/cm³至1×10¹⁸离子/cm³。

3.如权利要求1或2所述的沟槽型功率MOSFET，其特征在于，所述第二漂移区的厚度范围为3微米至20微米。

4.如权利要求1所述的沟槽型功率MOSFET，其特征在于，所述第二漂移区的导电类型与所述第一漂移区的导电类型相同。

5.一种沟槽型功率MOSFET的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底；

在所述衬底上生长形成第一漂移区；

对所述第一漂移区构图刻蚀形成第二沟槽；

在所述第二沟槽中外延生长半导体层以形成部分地填充所述第二沟槽底部的第二漂移区，并且，使所述第二漂移区的掺杂浓度高于所述第一漂移区的掺杂浓度；以及

在所述第二漂移区上方、所述第二沟槽内形成栅沟槽结构。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，形成所述第二漂移区的步骤，包括步骤：

在所述第二沟槽中外延生长填充所述第二沟槽的半导体层；以及

对所述第二沟槽中的半导体层进行回刻蚀以形成所述第二漂移区。

7.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述第二漂移区的掺杂浓度范围为1×10¹⁵离子/cm³至1×10¹⁸离子/cm³。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第二漂移区的掺杂浓度在平行于所述半导体衬底表面的方向上、基于所述第二沟槽的中央轴线呈正态分布。

9.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述第二漂移区的厚度范围为3微米至20微米。

10.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述第二漂移区的导电类型与所述第一漂移区的导电类型相同。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一漂移区的掺杂浓度范围为1×10¹⁴离子/cm³至1×10¹⁷离子/cm³。

12.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一漂移区的厚度范围为3微米至40微米。

13.如权利要求5或6所述的制备方法，其特征在于，所述第一漂移区通过在所述半导体衬底上外延生长形成。