[发明专利]半导体装置图案化结构的制作方法

摘要

本发明公开一种半导体装置图案化结构的制作方法，其包含有下列步骤。首先依序形成一目标层、一第一掩模层及一第一图案化掩模层于一基板上。接着利用第一图案化掩模层作为蚀刻掩模，于基板上形成多个特征结构，其中各特征结构均包含一图案化第一掩模层及一图案化目标层。然后，形成一第二图案化掩模层于基板上，以覆盖住部分特征结构并暴露一预定区域。继以进行一第二蚀刻制作工艺，完全去除预定区域内的特征结构及第二图案化掩模层。最后，进行一第三蚀刻制作工艺，利用图案化第一掩模层作为蚀刻掩模，完全去除未被图案化第一掩模层遮蔽的该目标层。

主权项

一种半导体装置图案化结构的制作方法，包含有：依序形成一目标层、一第一掩模层及一第一图案化掩模层于一基板上；进行一第一蚀刻制作工艺，利用该第一图案化掩模层作为蚀刻掩模，去除部分该第一掩模层及部分该目标层，以于该基板上形成多个特征结构，其中各该特征结构均包含有一图案化第一掩模层及一图案化目标层；形成一第二图案化掩模层于该基板上，该第二图案化掩模层覆盖部分该些特征结构并暴露一预定区域；进行一第二蚀刻制作工艺，完全去除该预定区域内的该些特征结构，以于该预定区域内形成一第一沟槽；以及在形成该第一沟槽之后，进行一第三蚀刻制作工艺，利用该些图案化第一掩模层作为蚀刻掩模，完全去除未被该些图案化第一掩模层遮蔽的该目标层。