“李孟骏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置图案化结构的制作方法-CN201210144551.6有效
发明人：郭龙恩;廖俊雄;陈炫旭;李孟骏 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2012-05-10 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体装置图案化结构的制作方法，其包含有下列步骤。首先依序形成一目标层、一第一掩模层及一第一图案化掩模层于一基板上。接着利用第一图案化掩模层作为蚀刻掩模，于基板上形成多个特征结构，其中各特征结构均包含一图案化第一掩模层及一图案化目标层。然后，形成一第二图案化掩模层于基板上，以覆盖住部分特征结构并暴露一预定区域。继以进行一第二蚀刻制作工艺，完全去除预定区域内的特征结构及第二图案化掩模层。最后，进行一第三蚀刻制作工艺，利用图案化第一掩模层作为蚀刻掩模，完全去除未被图案化第一掩模层遮蔽的该目标层。
半导体装置图案结构制作方法

1
共 1 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top