[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法在审
申请号: | 201210143322.2 | 申请日: | 2012-05-09 |
公开(公告)号: | CN103390679A | 公开(公告)日: | 2013-11-13 |
发明(设计)人: | 郭群超;庞宏杰;王凌云;柳琴;白晓宇;张愿成;张滢清 | 申请(专利权)人: | 上海太阳能工程技术研究中心有限公司 |
主分类号: | H01L31/076 | 分类号: | H01L31/076;H01L31/0352;H01L31/052;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人: | 杨元焱 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种薄膜太阳能电池,它包括减反射膜基底,基底上沉积有绝缘层,在绝缘层上生长有多个横向p-i-n结,各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成,各本征层上分别具有背反射镜,各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。其制作方法包括清洗基底、沉积绝缘层、垂直结构处理、制作横向p-i-n结、制备背反射镜、制作电极等主要步骤。本发明的薄膜太阳能电池可有效避免p、n掺杂层死层的光吸收损失以及栅线对光线遮挡造成的光损失,增加光线在电池内部的反射,从而有效提高电池的转换效率,且可应用于各种薄膜太阳能电池。 | ||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池,其特征在于:包括减反射膜基底,基底上沉积有绝缘层,在绝缘层上生长有多个横向p‑i‑n结,各p‑i‑n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成,各本征层上分别具有背反射镜,各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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