[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池，其特征在于：包括减反射膜基底，基底上沉积有绝缘层，在绝缘层上生长有多个横向p-i-n结，各p-i-n结分别由具有垂直结构的n型掺杂层、本征层和p型掺杂层顺序设置组成，各本征层上分别具有背反射镜，各n型掺杂层和各p型掺杂层上分别具有金属电极。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的多个横向p-i-n结串联。

3.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的减反射膜基底为沉积有绒面透明导电薄膜的导电玻璃。

4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的背反射镜由ZnO+Al、ZnO+Ag+Al、TCO+Al、TCO+Ag+Al、Ag+Al或Al制作形成。

5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于：所述的金属电极为铝或银。

6.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、清洗减反射膜基底：用化学溶液将减反射膜基底表面清洗干净；

B、沉积绝缘层：在减反射膜基底上沉积一层绝缘薄膜；

C、垂直结构处理：把基底纵向分隔成多个p-i-n结区域，并将每个p-i-n结区域分隔成p区、i区和n区；

D、制作横向p-i-n结：在各p-i-n结区域的p区、i区和n区分别沉积p型掺杂薄膜、本征层薄膜和n型掺杂薄膜，制作成串联的多个横向p-i-n结；

E、制作背反射镜：在各本征层薄膜上分别制作背反射镜；

F、制作电极：在各p型掺杂薄膜上和各n型掺杂薄膜上分别制作电极。

7.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的沉积绝缘层采用气相沉积、溅射或蒸发的方法。

8.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的垂直结构处理采用激光刻槽或掩膜的方法。

9.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的制作横向p-i-n结采用等离子体增强化学气相沉积、磁控溅射、热丝化学气相沉积、低压化学气相沉积或蒸发方法。

10.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于：所述的制作背反射镜和制作电极采用气相沉积、溅射、蒸发、丝网印刷、喷墨印刷或电镀的方法。