[发明专利]具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对及方法

摘要

本发明公开一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对，用以调节输入电压与最佳化一低电磁干扰回路，其具有一下导线架与一上导线架可同时散逸由两金属氧化物半导体场效应晶体管所产生的热能而达到极佳的散热功能，并可于该下导线架与该上导线架以焊料、银环氧树脂或金球电性连接两金属氧化物半导体场效应晶体管而达成极佳的结构适应性，且该上导线架可堆叠如绝缘栅双极型晶体管、二极管、电感器、扼流器与散热器等装置，以形成有效的系统级封装模块；及提供一种简单、省时、适应性高、低成本与易使用的制造该具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对的方法。

主权项

一种具有堆叠电容的金属氧化物半导体场效应晶体管对，其特征在于，包含：一下导线架，具有一上表面；一上导线架，具有一平台与多个外部导线，其中该平台具有一内表面与一外表面；一第一金属氧化物半导体场效应晶体管，装设于该上导线架的该内表面与该下导线架的该上表面之间，其中该第一金属氧化物半导体场效应晶体管具有一第一源极电极、一第一漏极电极与一第一栅极电极，其中该第一源极电极及该第一栅极电极各自与该上导线架电性连接，且该第一漏极电极与该下导线架电性连接；一第二金属氧化物半导体场效应晶体管，装设于该上导线架的该内表面与该下导线架的该上表面之间，其中该第二金属氧化物半导体场效应晶体管装设于该第一金属氧化物半导体场效应晶体管的旁边，且该第二金属氧化物半导体场效应晶体管具有一第二源极电极、一第二漏极电极与一第二栅极电极，其中该第二源极电极及该第二栅极电极各自与该下导线架电性连接，且该第二漏极电极与该上导线架电性连接；及一电容，装设于该上导线架的外表面上，其中该电容具有一第一电容电极与一第二电容电极各自与该上导线架电性连接，其中该第一源极电极经由该上导线架与该第二电容电极电性连接，该第二漏极电极经由该上导线架与该第一电容电极电性连接。