[发明专利]SOI（绝缘体上硅）结构的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210109975.9 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102637699A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 大槻浩;坚田满孝;能登宣彦;竹野博;吉田和彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装;信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/265;H01L21/322;H01L21/762;H01L21/84 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈珊;刘兴鹏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了使用SOI基片(100)的SOI结构的半导体装置。通过将Ar离子注入进作为活性层(3)的硅基片内，形成晶格畸变层(4)。结果，所述晶格畸变层(4)能够充当吸附点。以晶格畸变层(4)内的拉应力大于等于11MPa并小于等于27MPa的方式，调节Ar离子的用量。因此，能够防止晶格畸变层在作为吸附点时发生漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | soi 绝缘体 结构 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI结构的半导体装置，包括：SOI基片(100)，其包括由单晶硅制成的硅基片(1)、由单晶硅制成的第一导电型活性层(3)和位于所述硅基片(1)和活性层(3)之间的埋入绝缘层(2)；和第二导电型层(5，8，9)，其形成在所述活性层(3)的表面部分内，与所述活性层(3)一起构成PN结，其中所述活性层(3)的硅晶格发生变形以形成作为吸附点的晶格畸变层(4)，当通过阴极射线发光技术分析晶格畸变层(4)时，波长λ为1535nm的发光强度的峰值被限定为D1线峰值强度，波长λ为1130nm的发光强度的峰值被限定为T0线峰值强度，并且D1线峰值强度与T0线峰值强度的比小于等于1/3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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