[发明专利]氮化物系半导体发光元件无效

专利信息
申请号: 201210102074.7 申请日: 2012-04-09
公开(公告)号: CN102881795A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 井上彰;藤金正树;横川俊哉 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/10
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 氮化物系半导体发光元件(300)具备基板(304)和氮化物半导体层叠构造,氮化物半导体层叠构造具有用于射出偏振光的氮化物半导体活性层(306),基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面相对于基板(304)的主面(333)而形成的角度θ大于90度,基板(304)的多个侧面(332)中的至少一个侧面与基板(304)的主面(333)之间的交线相对于偏振光的主面(333)内的偏振方向(324)而形成的角度的绝对值即角度θ2(mod 180度)是不包含0度与90度的角度。
搜索关键词: 氮化物 半导体 发光 元件
【主权项】:
一种氮化物系半导体发光元件,具备:基板,其具有主面、作为光取出面的背面、和多个侧面;以及氮化物半导体层叠构造,其形成在所述基板的主面上,其中,所述氮化物半导体层叠构造具有用于射出偏振光的活性层,在将所述基板的多个侧面中的至少一个侧面相对于所述基板的主面而形成的角度设为角度θ,且将所述基板的多个侧面中的至少一个侧面与所述基板的主面之间的交线相对于所述偏振光在所述主面内的偏振方向而形成的角度的绝对值设为角度θ2的情况下,所述角度θ大于90度,且所述角度θ2除以180度所得到的余数是不包含0度与90度在内的角度。
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