[发明专利]氮化物系半导体发光元件

权利要求书

1.一种氮化物系半导体发光元件，具备：基板，其具有主面、作为光取出面的背面、和多个侧面；以及氮化物半导体层叠构造，其形成在所述基板的主面上，

其中，

所述氮化物半导体层叠构造具有用于射出偏振光的活性层，

在将所述基板的多个侧面中的至少一个侧面相对于所述基板的主面而形成的角度设为角度θ，且将所述基板的多个侧面中的至少一个侧面与所述基板的主面之间的交线相对于所述偏振光在所述主面内的偏振方向而形成的角度的绝对值设为角度θ2的情况下，

所述角度θ大于90度，且

所述角度θ2除以180度所得到的余数是不包含0度与90度在内的角度。

2.根据权利要求1所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述基板是偏离5°以下的偏切基板。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

θ减去90度后得到的值是角度θ1以上的值，该角度θ1满足下述计算式的关系，该计算式为：

θ1＝51.0-21.5×n2。

4.根据权利要求3所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

在所述基板的光的折射率为n1且与所述基板的多个侧面相接的介质的折射率为n2的情况下，若将由所述折射率n1、n2所决定的临界角设为θc，则θ减去90度后得到的值大于所述临界角θc。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述基板的主面以及背面的平面形状为四边形，所述多个侧面是4个侧面。

6.根据权利要求5所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述基板的主面以及背面的平面形状为平行四边形。

7.根据权利要求5所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述基板的主面以及背面的平面形状为正方形。

8.根据权利要求5所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述基板的主面以及背面的平面形状为长方形。

9.根据权利要求5所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述基板的主面以及背面的平面形状为菱形。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述角度θ2除以90度所得到的余数为25度以上且65度以下。

11.根据权利要求1至9中任意一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述角度θ2除以90度所得到的余数为35度以上且55度以下。

12.根据权利要求1至9中任意一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述角度θ2除以90度所得到的余数为40度以上且50度以下。

13.根据权利要求1至12中任意一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

在所述基板的背面上形成有多个凸部。

14.根据权利要求13所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述凸部具有圆锥形状或者半球形状，且二维配置在所述基板的背面。

15.根据权利要求13所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

所述凸部具有条带形状，

在将所述条带形状的延伸方向与所述偏振光的偏振方向之间形成的角的绝对值设为γ的情况下，γ除以180度所得到的余数为5度以上且175度以下。

16.根据权利要求15所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

γ除以180度所得到的余数为30度以上且150度以下。

17.根据权利要求1至16中任意一项所述的氮化物系半导体发光元件，其中，

在将所述偏振光的偏振方向与所述基板的主面的法线之间形成的角的绝对值设为σ1时，σ1除以180度所得到的余数为85度以上且95度以下；

在将所述偏振光的偏振方向与所述基板的背面的法线之间形成的角的绝对值设为σ2时，σ2除以180度所得到的余数为85度以上且95度以下。