[发明专利]具有双功能的非挥发性半导体记忆单元

摘要

本发明公开了一种具有双功能的非挥发性半导体记忆单元。该非挥发性半导体记忆单元包括基底、第一闸极、第二闸极、第三闸极、电荷储存层、第一扩散区、第二扩散区和第三扩散区。该第二闸极和该第三闸极是用以接收有关于该双功能中的可一次编程功能的第一电压和有关于该双功能中的可多次编程功能的第二电压。该第一扩散区是用以接收有关于该可一次编程功能的第三电压和编程功能有关于该可多次编程功能的第四电压。该第二扩散区是用以接收有关于该可多次编程功能的第五电压。因此，相较于现有技术，该非挥发性半导体记忆单元不仅具有较现有技术佳的效能，亦具有较现有技术简单的架构以实现该可一次编程功能和该可多次编程功能。

主权项

一种具有双功能的非挥发性半导体记忆单元，包括：第一导电类型的基底，包括主动区；该非挥发性半导体记忆单元的特征在于还包括：第一闸极，该第一闸极的全部形成于该主动区之上，用以接收选择闸极电压；第二闸极，该第二闸极的部分形成于该主动区上，且位于该第一闸极的第一边，用以接收第一电压和第二电压，其中该第一闸极和该第二闸极相距第一距离，该第一电压是有关于该双功能中的可一次编程功能，以及该第二电压是有关于该双功能中的可多次编程功能；第三闸极，该第三闸极的部分形成于该主动区上，且位于该第一闸极的第一边，用以接收该第一电压和该第二电压，其中该第一闸极和该第三闸极相距该第一距离，以及该第二闸极和该第三闸极相距第二距离；电荷储存层，形成于该主动区的表面之上，且填充于该第二闸极和该第三闸极之间；第一扩散区，形成于该表面之上，且位于该第一闸极的第二边，其中该第一闸极的第一边的是相对于该第一闸极的第二边，其中该第一扩散区的电性是为和该第一导电类型相反的第二导电类型，且该第一扩散区是用以接收和该可一次编程功能有关的第三电压以及和该可多次编程功能有关的第四电压；第二扩散区，形成于该表面之上，且位于该第二闸极的第一边，其中该第二闸极的第一边是相对于该第一闸极的第一边，其中该第二扩散区的电性是为和该第一导电类型相反的该第二导电类型，且该第二扩散区是用以接收和该可多次编程功能有关的第五电压；及第三扩散区，形成于该表面且介于该第一闸极和该第二闸极/第三闸极之间，其中该第三扩散区的电性是为和该第一导电类型相反的该第二导电类型。