[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

摘要

本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。发明的目的在于减少由于半导体膜的沟道形成区域的端部的特性使晶体管的特性受到的影响。本发明的半导体装置的结构为，具有在衬底上的半导体膜的沟道形成区域上之间夹栅绝缘膜而形成的栅电极，且上述半导体膜配置在比上述绝缘膜的端部内侧的区域中，并且上述沟道形成区域的侧面至少不接触于上述栅绝缘膜。换言之，本发明的半导体装置具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜围绕而形成的空隙。注意，其结构也可以为上述沟道形成区域的侧面不接触于上述栅电极，即，也可以具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜、上述栅电极围绕而形成的空隙。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：在衬底之上形成第一半导体膜；在所述第一半导体膜之上形成绝缘膜；在所述绝缘膜之上选择性地形成抗蚀剂；以所述抗蚀剂作为掩模对所述第一半导体膜以及所述绝缘膜进行蚀刻，从而形成第二半导体膜和栅绝缘膜；通过使用所述抗蚀剂以及所述栅绝缘膜作为掩模对所述第二半导体膜进行蚀刻，来在所述栅绝缘膜的内侧的区域中形成第三半导体膜；以及形成导电膜使得覆盖所述第三半导体膜的沟道形成区域，且所述导电膜和沟道形成区域之间夹着所述栅绝缘膜，其中，所述栅绝缘膜和所述导电膜不与所述第三半导体膜的侧面接触。