[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成第一半导体膜；

在所述第一半导体膜之上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜之上选择性地形成抗蚀剂；

以所述抗蚀剂作为掩模对所述第一半导体膜以及所述绝缘膜进行蚀刻，从而形成第二半导体膜和栅绝缘膜；

通过使用所述抗蚀剂以及所述栅绝缘膜作为掩模对所述第二半导体膜进行蚀刻，来在所述栅绝缘膜的内侧的区域中形成第三半导体膜；以及

形成导电膜使得覆盖所述第三半导体膜的沟道形成区域，且所述导电膜和沟道形成区域之间夹着所述栅绝缘膜，

其中，所述栅绝缘膜和所述导电膜不与所述第三半导体膜的侧面接触。

2.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，由所述衬底、所述第三半导体膜的侧面、所述栅绝缘膜、以及所述导电膜形成空隙。

3.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，由所述衬底、所述第三半导体膜的侧面、以及所述栅绝缘膜形成空隙。

4.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，其中，所述导电膜包括使用氮化钽形成的第一导电膜。

5.根据权利要求1的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法还包括以下步骤：

在所述导电膜、所述栅绝缘膜、以及所述衬底之上形成第二绝缘膜，

其中，由所述衬底、所述第三半导体膜的侧面、所述栅绝缘膜、以及所述第二绝缘膜形成空隙。

6.根据权利要求5的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘膜通过CVD法形成。

7.根据权利要求5的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘膜是有机材料的单层。

8.根据权利要求5的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘膜是有机材料的层的叠层。

9.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

在衬底之上形成第一半导体膜；

在所述第一半导体膜之上形成绝缘膜；

通过在所述绝缘膜之上选择性地形成抗蚀剂，并以所述抗蚀剂作为掩模对所述绝缘膜进行蚀刻，来形成栅绝缘膜；

通过以所述抗蚀剂作为掩模对所述第一半导体膜进行蚀刻，来在所述栅绝缘膜的内侧的区域中形成第二半导体膜；以及

形成导电膜使得覆盖所述第二半导体膜的沟道形成区域，且所述导电膜和沟道形成区域之间夹着所述栅绝缘膜，

其中，所述栅绝缘膜和所述导电膜不与所述第二半导体膜的侧面接触。

10.根据权利要求9的半导体装置的制造方法，其中，由所述衬底、所述第二半导体膜的侧面、所述栅绝缘膜、以及所述导电膜形成空隙。

11.根据权利要求9的半导体装置的制造方法，其中，由所述衬底、所述第二半导体膜的侧面、以及所述栅绝缘膜形成空隙。

12.根据权利要求9的半导体装置的制造方法，其中，所述导电膜包括使用氮化钽形成的第一导电膜。

13.根据权利要求9的半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法还包括以下步骤：

在所述导电膜之上形成第二绝缘膜，

其中，由所述衬底、所述第二半导体膜的侧面、所述栅绝缘膜、以及所述第二绝缘膜形成空隙。

14.根据权利要求13的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘膜通过CVD法形成。

15.根据权利要求13的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘膜是有机材料的单层。

16.根据权利要求13的半导体装置的制造方法，其中，所述第二绝缘膜是有机材料的层的叠层。