[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括第一基板，其上提供第一场效应晶体管；以及第二基板，其上提供第二导电类型的第二场效应晶体管；第一和第二基板在其分别提供第一和第二场效应晶体管的基板面上彼此贴合；第一场效应晶体管和第二场效应晶体管彼此电连接。

主权项

一种半导体装置，包括：第一基板，在所述第一基板上提供有第一场效应晶体管；以及第二基板，在所述第二基板上提供有第二场效应晶体管；所述第一基板和所述第二基板在它们的分别提供所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管的基板面处彼此贴合；所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管彼此电连接，其中层叠包括所述第一基板和所述第二基板的多个基板的两个或更多个核电路块堆叠为形成多个核电路部分，所述核电路块的每个都包括多个局部配线层，所述多个局部配线层在层叠方向上以绝缘膜插设在各层之间的状态层叠在所述核电路块所在基板的一侧；层叠且其间插设有绝缘膜的多个全局配线层还形成在所述核电路部分的最上层中的核电路块的最上部分；并且所述全局配线层的每个都通过延伸穿过所述基板的连接通路和层间绝缘膜中的配线层以及接触部连接到作为连接对象的所述局部配线层。