[发明专利]SRAM存储器在审
| 申请号： | 201210085162.0 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102610589A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/11;G11C11/41 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM存储器，包括：基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠。本发明实施例提供的SRAM存储器减小了位线和互补位线之间的耦合电容。 | ||
| 搜索关键词： | sram 存储器 | ||
【主权项】：
一种SRAM存储器，其特征在于，包括：基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠；所述扭曲区包括第一扭曲区和第二扭曲区，其中，第一扭曲区将第一直线区的第一介质层上的位线扭曲至第二直线区的第二介质层上，且将第一直线区的第二介质层上的互补位线扭曲至第二直线区的第一介质层上；第二扭曲区将第二直线区的第二介质层上的位线扭曲至第一直线区的第一介质层上，且将第二直线区的第一介质层上的互补位线扭曲至第一直线区的第二介质层上。
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