[发明专利]SRAM存储器

权利要求书

1.一种SRAM存储器，其特征在于，包括：

基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；

覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；

相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，

其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠；

所述扭曲区包括第一扭曲区和第二扭曲区，其中，第一扭曲区将第一直线区的第一介质层上的位线扭曲至第二直线区的第二介质层上，且将第一直线区的第二介质层上的互补位线扭曲至第二直线区的第一介质层上；第二扭曲区将第二直线区的第二介质层上的位线扭曲至第一直线区的第一介质层上，且将第二直线区的第一介质层上的互补位线扭曲至第一直线区的第二介质层上。

2.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等。

3.如权利要求2所述的SRAM存储器，其特征在于，不同位线组上的扭曲区的数量相等。

4.如权利要求3所述的SRAM存储器，其特征在于，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直。

5.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，位线组的位线和互补位线的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行。

6.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应。

7.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组上的相邻两个扭曲区之间对应的存储单元的数量为16～256个。

8.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。

9.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一扭曲区包括：位于第二介质层中的第一插塞和第二插塞、位于第二介质层上的第一位线弯折线、位于第一介质层上的第一互补位线弯折线，第一直线区的第一介质层上的位线通过第一插塞和第一位线弯折线扭曲至第二直线区的第二介质层上，第一直线区的第二介质层上的互补位线通过第二插塞和第一互补位线弯折线扭曲至第二直线区的第一介质层上。

10.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第二扭曲区包括：位于第二介质层中的第三插塞和第四插塞、位于第一介质层上的第二位线弯折线、位于第二介质层上的第二互补位线弯折线，第二直线区的第二介质层上的位线通过第三插塞和第二位线弯折线扭曲至第一直线区的第一介质层上，第二直线区的第一介质层上的互补位线通过第四插塞和第二互补位线弯折线扭曲至第一直线区的第二介质层上。

11.如权利要求1所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个位线组的同一侧还具有电源线，电源线与位线和互补位线相互平行，电源线用于给存储单元中相应的晶体管提供电源。

12.如权利要求11所述的SRAM存储器，其特征在于，所述电源线位于第一介质层上。