[发明专利]SRAM存储器

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种SRAM存储器。

背景技术

静态随机存储器(SRAM)作为挥发性存储器中的一员，具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点，广泛应用于PC、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。特别是，高速同步SRAM用于诸如工作站等超高速缓存器的应用，超高速缓存为再利用的数据或指令提供高速的存储。

在现有的6T(6transistor)结构的SRAM存储器中，用于存储以及读取SRAM存储器的信号的位线组(包括：位线和互补位线)通常相互平行的位于同一金属层，这种位线组与相邻位线组之间由于耦合电容的存在常出现信号的串扰问题，导致位线组传输的信号恶化，在通过位线组存储以及读取SRAM存储器的信号时效率和速度降低。

一种降低位线组之间耦合电容的方法是相隔一定距离扭曲位线组，参考图1，图1为现有具有扭曲结构的位线组的结构示意图，所述位线组包括：位线BL和互补位线BLB，所述位线组具有直线区20和扭曲区10，位线BL的直线部分101和互补位线BLB的直线部分103在直线区20相互平行且位于同一金属层，比如：第二金属层(M2)，位线BL的直线部分101在扭曲区10通过位于与其同一层的扭曲线102扭曲到互补位线BLB的直线部分103的延长线上，互补位线BLB的直线部分103在扭曲区10通过与其位于不同金属层(第一或第三金属层)的扭曲线104扭曲到位线BL的直线部分101的延长线上。

通过上述扭曲结构虽然可以减小位线组与相邻位线组之间的耦合电容，但是每个位线组本身的位线和互补位线之间的耦合电容并不会降低，还是会出现信号的串扰问题。

更多关于SRAM存储器的介绍请参考公开号为US2011/0007556A1的美国专利。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种SRAM存储器，减小了位线和互补位线之间的耦合电容。

为解决上述问题，本发明实施例提供了一种SRAM存储器，包括：

基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；

覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；

相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，

其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠；

所述扭曲区包括第一扭曲区和第二扭曲区，其中，第一扭曲区将第一直线区的第一介质层上的位线扭曲至第二直线区的第二介质层上，且将第一直线区的第二介质层上的互补位线扭曲至第二直线区的第一介质层上；第二扭曲区将第二直线区的第二介质层上的位线扭曲至第一直线区的第一介质层上，且将第二直线区的第一介质层上的互补位线扭曲至第一直线区的第二介质层上。

可选的，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等。

可选的，不同位线组上的扭曲区的数量相等。

可选的，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直。

可选的，位线组的位线和互补位线的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行。

可选的，每个位线组上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应。

可选的，每个位线组上的相邻两个扭曲区之间对应的存储单元的数量为16～256个。

可选的，每个位线组的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。

可选的，所述第一扭曲区包括：位于第二介质层中的第一插塞和第二插塞、位于第二介质层上的第一位线弯折线、位于第一介质层上的第一互补位线弯折线，第一直线区的第一介质层上的位线通过第一插塞和第一位线弯折线扭曲至第二直线区的第二介质层上，第一直线区的第二介质层上的互补位线通过第二插塞和第一互补位线弯折线扭曲至第二直线区的第一介质层上。