[发明专利]沟渠式金属氧化物半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210082709.1 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN102779850A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 郭锦德;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟渠式金属氧化物半导体结构，包括基材、外延层、掺杂井、掺杂区域和沟渠式栅极。第一导电类型的基材，具有第一面以及与第一面相对的第二面。第一导电类型的外延层，位于第一面上。第二导电类型的掺杂井，位于外延层上。第一导电类型的掺杂区域，位于掺杂井上。沟渠式栅极至少部分地位于掺杂区域中。沟渠式栅极为瓶形轮廓，并有小于底部的顶部，两者均部分地位于掺杂井中。两个相邻的沟渠式栅极的底部，导致较高的电场环绕沟渠式金属氧化物半导体结构。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 金属 氧化物 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种沟渠式金属氧化物半导体结构，其特征在于，包含：一第一导电类型的基材，具有一第一面以及与所述第一面相对的一第二面；所述第一导电类型的一外延层，位于所述第一面上；一第二导电类型的掺杂井，位于所述外延层上；所述第一导电类型的一掺杂区域，位于所述掺杂井上；以及一沟渠式栅极，至少部分地位于所述掺杂区域中，其中所述沟渠式栅极具有一顶部，其小于部分地位于所述掺杂井中的一底部。
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