[发明专利]一种半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201210074860.0 | 申请日： | 2012-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103325826A | 公开（公告）日： | 2013-09-25 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;徐秋霞;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11370 | 代理人： | 朱海波 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构的制造方法，包括以下步骤：提供衬底，在该衬底上形成栅堆叠；形成环绕所述栅堆叠的偏移侧墙以及环绕所述偏移侧墙的伪侧墙；在伪侧墙两侧形成源/漏区；去除所述伪侧墙、以及所述偏移侧墙位于衬底表面的部分；在所述偏移侧墙的侧壁上形成掺杂侧墙；使所述掺杂侧墙中掺杂杂质进入衬底中，形成源/漏扩展区；去除所述掺杂侧墙。相应地，本发明还提供了一种半导体结构。本发明利用后续步骤中将去除的、重掺杂的掺杂侧墙来形成掺杂浓度高、结深浅的源/漏扩展区，从而有效地提高了半导体结构的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：a)提供衬底(100)，在该衬底(100)上形成栅堆叠；b)形成环绕所述栅堆叠的偏移侧墙(220)以及环绕所述偏移侧墙(220)的伪侧墙(230)；c)在伪侧墙(230)两侧形成源/漏区(310)；d)去除所述伪侧墙(230)、以及所述偏移侧墙(220)位于衬底(100)表面的部分；e)在所述偏移侧墙(220)的侧壁上形成掺杂侧墙(410)；f)使所述掺杂侧墙(410)中掺杂杂质进入衬底(100)中，形成源/漏扩展区(320)；g)去除所述掺杂侧墙(410)。
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