[发明专利]半导体装置用薄膜的制造方法无效
| 申请号： | 201210061805.8 | 申请日： | 2012-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN102683244A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 井上刚一;盛田美希;宍户雄一郎 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供芯片接合薄膜位于切割薄膜的中心的半导体装置用薄膜的制造方法。一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其包括：照射波长400～800nm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序；设切割薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T1、设切割薄膜与芯片接合薄膜和保护薄膜的层叠部分的光线透射率为T2时，T2/T1为0.04以上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置用薄膜的制造方法，所述半导体装置用薄膜通过切割薄膜、芯片接合薄膜和保护薄膜以该顺序层叠而得到，其特征在于，设所述切割薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T1、设所述切割薄膜与所述芯片接合薄膜和所述保护薄膜的层叠部分对波长400～800nm的光线透射率为T2时，下式(A)表示的T为4以上，T＝100‑((T2/T1)×100) (A)所述半导体装置用薄膜的制造方法包括：制作切割薄膜的工序，制作芯片接合薄膜的工序，按照将要粘贴的半导体晶片的形状对所述芯片接合薄膜进行冲裁的工序，在所述切割薄膜上以规定的间隔粘贴多个所述芯片接合薄膜，并且将芯片接合薄膜侧作为粘贴面而粘贴保护薄膜的工序，照射波长400～800nm的光线，基于所得到的光线透射率检测芯片接合薄膜的位置的工序，和基于检测到的芯片接合薄膜的位置，对所述切割薄膜进行冲裁的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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